2014年我国分立器件发展方向分析

中国产业研究报告网讯：

    统计数据显示，2009-2013年，中国半导体分立器件产业销售额逐年上涨，2013年均为最大值，但是增速呈现波动趋势。2010年，2013年，中国半导体分立器件产业销售额为1135.40亿元，同比增长28.50%，增速为近年来的最大值。2013年，中国半导体分立器件产业销售额为1642.50亿元，同比增长18.17%，增长速度有所加快。 

    半导体分立器件仍有很大的发展空间。半导体分立器件通常总是沿着功率、频率两个方向发展，发展新的器件理论、新的结构，出现各种新型分立器件，促进电子信息技术的迅猛发展。 

    一是发展电子信息产品急需的高端分立器件，如Si、GaAs微波功率器件、功率MOS器件、光电子器件、变容管及肖特基二极管等。随着理论研究和工艺水平的不断提高，电力电子器件在容量和类型等方面得到了很大发展，先后出现了从高压大电流的GTO到高频多功能的IGBT、功率MOSFET等自关断、全控型器件。近年来，电力电子器件正朝着大功率、高压、高频化、集成化、智能化、复合化、模块化及功率集成的方向发展，如IGPT、MCT、HVIC等就是这种发展的产物。 

    内容选自产业研究报告网发布的《2014-2020年中国半导体分立器件行业分析与投资前景研究报告》 

    二是发展以SiGe、SiC、InP、GaN等化合物半导体材料为基础的新型器件。 

    三是跟踪世界半导体分立器件发展趋势，加强对纳米器件、超导器件等领域的研究。 

    四是分立器件封装技术的发展趋势仍以片式器件为发展方向，以适应各种电子设备小型化、轻量化、薄型化的需要。封装形式的发展，一是往小型化方向发展，由常用的SOT-23、SOD-123型向尺寸更小的，如SOT-723/923、SOD-723/923、DFN/FBP1006等封装型式发展；二是片式小型化往功率器件方向延伸，从1W功率的SOT-89一直到功耗10W的TO-252以及功率更大的大功率封装，如TO-247、TO-3P等；三是另一类则望更大尺寸、更大体积以满足各类更大功率的新型电力电子封装，如全压接式大功率IGBT及各类模块封装等。