Hynix发布首款54nm制程的2GB移动DRAM
韩国半导体制造商Hynix（海力士）发布了目前世界第一款采用54nm工艺的2GB移动DRAM。
Hynix突破了目前采用MCP封装以及PoP封装的移动DRAM只有最高1GB容量密度的限制，成功实现了2GB的容量密度。新产品工作在1.2V的电压下，传输速度最高可达到400Mbps，而且通过32-bit的IO每秒可处理1.6Gigabytes的数据，其功耗也比目前的少很多。
据Hynix称，该产品已经通过了JEDEC标准认证，将会在2009年上半年实现量产。
Hynix突破了目前采用MCP封装以及PoP封装的移动DRAM只有最高1GB容量密度的限制，成功实现了2GB的容量密度。新产品工作在1.2V的电压下，传输速度最高可达到400Mbps，而且通过32-bit的IO每秒可处理1.6Gigabytes的数据，其功耗也比目前的少很多。
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